發布時間：2025-03-21
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Nexperia（安世半導體）正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩定性方面表現出色，采用創新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術在封裝環節的便捷優勢以及通孔技術的高效散熱能力，確保優異的散熱效果。此次新品發布精準滿足了眾多高功率（工業）應用領域對分立式SiC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術的優勢，得以實現卓越的熱性能表現。這些器件在電池儲能系統(BESS)、光伏逆變器、電機驅動器以及不間斷電源(UPS)等工業應用場景中表現卓越。此外，在包括充電樁在內的電動汽車充電基礎設施領域同樣能發揮出眾效能。
X.PAK封裝允許將散熱器直接連接至引線框架，進一步提升了Nexperia SiC MOSFET的散熱性能，實現從外殼頂部高效散熱。這一設計有效降低了通過PCB散熱所帶來的負面影響。同時，Nexperia的X.PAK封裝使表面貼裝組件具備低電感特性，并支持自動化電路板組裝流程。
新款X.PAK封裝器件具備Nexperia SiC MOSFET一貫的優異品質因數(FoM)。其中，RDS(on)作為關鍵參數，對導通損耗影響顯著。然而，許多制造商往往僅關注該參數（常溫）的標稱值，卻忽略了一個事實，即隨著器件工作溫度的升高，標稱值可能會增加100%以上，從而造成相當大的導通損耗。與之不同，Nexperia SiC MOSFET展現出出色的溫度穩定性，在25℃至175℃的工作溫度區間內，RDS(on)的標稱值僅增加38%。
Nexperia SiC分立器件和模塊資深總監兼負責人Katrin Feurle表示：
我們推出采用X.PAK封裝的SiC MOSFET，標志著在高功率應用散熱管理與功率密度方面取得重要突破。基于此前成功推出的TO-247和SMD D2PAK-7封裝分立式SiC MOSFET器件，我們研發了這款新型頂部散熱的產品方案。這充分彰顯了Nexperia致力于為客戶提供先進、靈活的產品組合，以滿足其不斷進化的設計需求的堅定承諾。
首批產品組合涵蓋RDS(on)值為30、40、60 mΩ的型號（NSF030120T2A0、NSF040120T2A1、NSF060120T2A0），并計劃于2025年4月推出一款17 mΩ產品。2025年后續還將推出符合汽車標準的X.PAK封裝SiC MOSFET產品系列，以及80 mΩ等更多RDS(on)等級的產品。
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